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Praktische Defibrillatortherapie
DE HC USISBN: 9783895998348 bzw. 3895998346, in Deutsch, Bremen: UNI-MED, 2004, gebundenes Buch, gebraucht.
Jueterbook - Onlineantiquariat, [4384097].
Opbd., 93 S. gebunden, 17,5 x 24 x 1,2 cm.Das Buch wendet sich an Ärzte, die Patienten mit implantierten Defibrillatoren behandeln, nachsorgen oder implantieren. - Sauber und frisches Exemplar, wie neu. Hardcover.
Opbd., 93 S. gebunden, 17,5 x 24 x 1,2 cm.Das Buch wendet sich an Ärzte, die Patienten mit implantierten Defibrillatoren behandeln, nachsorgen oder implantieren. - Sauber und frisches Exemplar, wie neu. Hardcover.
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Praktische Defibrillatortherapie (2004)
DE HC US FEISBN: 9783895998348 bzw. 3895998346, in Deutsch, 93 Seiten, Uni-Med Verlag Ag, gebundenes Buch, gebraucht, Erstausgabe.
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Von Händler/Antiquariat, rogers-webshop - Preis inkl.Mwst.
Das Buch wendet sich an Ärzte, die Patienten mit implantierten Defibrillatoren behandeln, nachsorgen oder implantieren. - Sauber und frisches Exemplar, wie neu. Gebundene Ausgabe, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Uni-Med Verlag Ag, Uni-Med Verlag Ag, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2004-12, Studio: Uni-Med Verlag Ag, Verkaufsrang: 760879.
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Das Buch wendet sich an Ärzte, die Patienten mit implantierten Defibrillatoren behandeln, nachsorgen oder implantieren. - Sauber und frisches Exemplar, wie neu. Gebundene Ausgabe, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Uni-Med Verlag Ag, Uni-Med Verlag Ag, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2004-12, Studio: Uni-Med Verlag Ag, Verkaufsrang: 760879.
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Praktische Defibrillatortherapie (2004)
DE USISBN: 3895998346 bzw. 9783895998348, in Deutsch, Bremen: UNI-MED, 2004, gebraucht.
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Von Händler/Antiquariat, Jueterbook, [9704452].
Das Buch wendet sich an Ärzte, die Patienten mit implantierten Defibrillatoren behandeln, nachsorgen oder implantieren. - Sauber und frisches Exemplar, wie neu. 1. Au Opbd., 93 S. gebunden, 17,5 x 24 x 1,2 cm.
Von Händler/Antiquariat, Jueterbook, [9704452].
Das Buch wendet sich an Ärzte, die Patienten mit implantierten Defibrillatoren behandeln, nachsorgen oder implantieren. - Sauber und frisches Exemplar, wie neu. 1. Au Opbd., 93 S. gebunden, 17,5 x 24 x 1,2 cm.
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Symbolbild
Praktische Defibrillatortherapie
DE USISBN: 3895998346 bzw. 9783895998348, in Deutsch, gebraucht.
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Von Händler/Antiquariat, Erich Butzenlechner, Einzelunternehmen, [4245].
Verlag: Uni-Med Verlag Ag, Ausgabe von 2004-12, Einband: Gebundene Ausgabe, Seiten: 93, das Buch ist in gutem Zustand. Altersgemäße kleinere Mängel sind nicht immer extra aufgeführt.
Von Händler/Antiquariat, Erich Butzenlechner, Einzelunternehmen, [4245].
Verlag: Uni-Med Verlag Ag, Ausgabe von 2004-12, Einband: Gebundene Ausgabe, Seiten: 93, das Buch ist in gutem Zustand. Altersgemäße kleinere Mängel sind nicht immer extra aufgeführt.
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Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung
DE NW EB
ISBN: 9783798331419 bzw. 3798331413, in Deutsch, 199 Seiten, Universitätsverlag der TU Berlin, neu, E-Book.
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Die Leit- und Schaltverluste eines Leistungshalbleiters haben nach wie vor einen entscheidenden Einfluss auf die Effizienz und die erreichbare Leistungsdichte eines Umrichters. Aktuell zeigen sich AlGaN/GaN-HEMTs vor allem durch ihre hohen Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig ausgezeichneten Leiteigenschaften als aussichtsreiche Kandidaten für eine Reduktion dieser Verluste. In dieser Arbeit werden neuartige GaN-Transistoren charakterisiert und für leistungselektronische Anwendungen optimiert. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der gegenseitigen Anpassung der Halbleitertechnologie und der Schaltungsumgebung. Conduction and switching losses of power semiconductors still have decisive influence on the efficiency and achievable power density of a converter. AlGaN/GaN HEMTs are promising reduction of these losses due to their very high switching speeds and excellent conductivity. In this work novel GaN transistors are characterized and optimized for power electronic applications. The focus is on the mutual adaptation of the semiconductor technology and the circuit environment.
Die Leit- und Schaltverluste eines Leistungshalbleiters haben nach wie vor einen entscheidenden Einfluss auf die Effizienz und die erreichbare Leistungsdichte eines Umrichters. Aktuell zeigen sich AlGaN/GaN-HEMTs vor allem durch ihre hohen Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig ausgezeichneten Leiteigenschaften als aussichtsreiche Kandidaten für eine Reduktion dieser Verluste. In dieser Arbeit werden neuartige GaN-Transistoren charakterisiert und für leistungselektronische Anwendungen optimiert. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der gegenseitigen Anpassung der Halbleitertechnologie und der Schaltungsumgebung. Conduction and switching losses of power semiconductors still have decisive influence on the efficiency and achievable power density of a converter. AlGaN/GaN HEMTs are promising reduction of these losses due to their very high switching speeds and excellent conductivity. In this work novel GaN transistors are characterized and optimized for power electronic applications. The focus is on the mutual adaptation of the semiconductor technology and the circuit environment.
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Software-Ergonomie ’95
DE NW EBISBN: 9783322947529 bzw. 3322947521, in Deutsch, Springer Nature, neu, E-Book.
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Marketing für Leistungssysteme
DE NW EBISBN: 9783322995094 bzw. 3322995097, in Deutsch, Springer Nature, neu, E-Book.
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