Einführung in den Junctionless Double Gate MOSFET - 3 Angebote vergleichen

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Die in integrierten Schaltkreisen hergestellten Feldeffekttransistoren (FETs) bestehen zum größten Teil aus Übergängen. Aufgrund der Verkleinerung der Bauteile ist die Herstellung dieser Übergänge immer schwieriger geworden. Außerdem ist für das reibungslose Funktionieren des Bauelements ein hoher Dotierungskonzentrationsgradient zwingend erforderlich. In letzter Zeit konzentrieren sich die Forscher auf neue Bauelemente, die ohne Übergänge auskommen und keinen Dotierungsgradienten erfordern. Eine solche Struktur ist der übergangslose Doppel-Gate-MOSFET (JL-DG MOSFET), der eine verbesserte Leistung gegenüber Kurzkanaleffekten, d.h. Drain-induzierter Barrierensenkung (DIBL), Schwellenspannungsänderungen usw., gezeigt hat. 22.0 x 15.0 x 0.4 cm, Buch.

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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET: The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc. Englisch, Taschenbuch.

Einführung in den Junctionless Double Gate MOSFET ab 39.9 € als Taschenbuch: . Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik,.