From Passive to Active Devices: GaInNAs as Absorber and Emitter for 1.3 μm Lasers
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From Passive to Active Devices: GaInNAs as Absorber and Emitter for 1.3 μm Lasers (2007)
EN PB NW FEISBN: 9783866281592 bzw. 3866281595, in Englisch, 128 Seiten, Hartung-Gorre, Taschenbuch, neu, Erstausgabe.
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Von Händler/Antiquariat, hartung_gorre_verlag.
This thesis deals with the development of GaInNAs as the absorber for semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) and as the gain medium for vertical external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs). The use of this quaternary alloy allows the development of such devices in the interesting near-infrared wavelength region of 1.3 μm, where cost-effective pulsed laser sources are needed for telecommunication applications, optical clocking of future generation processors and other applications such as laser displays and laser sources for biomedical use. The growth of GaInNAs was carried out by molecular beam epitaxy. The material worked very well as-grown and with mild post-growth annealing as a saturable absorber in SESAMs. Using these SESAMs, we achieved modelocking in the megahertz repetition rate region of Nd:YLF and Nd:YVO4 lasers, while the repetition rate was pushed up to 10 GHz with close to transform-limited pulses for the Nd:YVO4 laser. Careful optimizations of both the growth and post-growth annealing conditions were necessary to improve the GaInNAs PL efficiency to obtain material quality adequate for lasing. By studying the GaInNAs annealing-induced blueshift of the bandgap energy and its PL efficiency improvement, we could correlate these effects with nitrogen concentration and with the annealing parameters of time and temperature. We discovered that the nitrogen content in GaInNAs influences the total amount of blueshift but does not affect the improvement of the PL efficiency. GaInNAs quantum wells optimized for the gain region of the VECSELs were grown at a lower temperature than the ones used for the SESAMs and annealed in-situ at high temperature for a short time and at lower temperatures for a longer time. Finally, we developed GaInNAs VECSELs to obtain 1.3 μm lasers with sizes even more compact than the solid-state lasers presented above. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Hartung-Gorre, Hartung-Gorre, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2007-08-15, Studio: Hartung-Gorre.
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This thesis deals with the development of GaInNAs as the absorber for semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) and as the gain medium for vertical external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs). The use of this quaternary alloy allows the development of such devices in the interesting near-infrared wavelength region of 1.3 μm, where cost-effective pulsed laser sources are needed for telecommunication applications, optical clocking of future generation processors and other applications such as laser displays and laser sources for biomedical use. The growth of GaInNAs was carried out by molecular beam epitaxy. The material worked very well as-grown and with mild post-growth annealing as a saturable absorber in SESAMs. Using these SESAMs, we achieved modelocking in the megahertz repetition rate region of Nd:YLF and Nd:YVO4 lasers, while the repetition rate was pushed up to 10 GHz with close to transform-limited pulses for the Nd:YVO4 laser. Careful optimizations of both the growth and post-growth annealing conditions were necessary to improve the GaInNAs PL efficiency to obtain material quality adequate for lasing. By studying the GaInNAs annealing-induced blueshift of the bandgap energy and its PL efficiency improvement, we could correlate these effects with nitrogen concentration and with the annealing parameters of time and temperature. We discovered that the nitrogen content in GaInNAs influences the total amount of blueshift but does not affect the improvement of the PL efficiency. GaInNAs quantum wells optimized for the gain region of the VECSELs were grown at a lower temperature than the ones used for the SESAMs and annealed in-situ at high temperature for a short time and at lower temperatures for a longer time. Finally, we developed GaInNAs VECSELs to obtain 1.3 μm lasers with sizes even more compact than the solid-state lasers presented above. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Hartung-Gorre, Hartung-Gorre, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2007-08-15, Studio: Hartung-Gorre.
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Daten vom 10.08.2018 08:09h
ISBN (andere Schreibweisen): 3-86628-159-5, 978-3-86628-159-2
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Valeria Liverini: From Passive to Active Devices: GaInNAs as Absorber and Emitter for 1.3 μm Lasers
ISBN: 9783866281592
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