Ab Initio Molecular Dynamics Simulation of Diffusion in Silicon
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Ab Initio Molecular Dynamics Simulation of Diffusion in Silicon (2007)
EN PB NW FEISBN: 9783866281332 bzw. 3866281331, in Englisch, 190 Seiten, Hartung-Gorre, Taschenbuch, neu, Erstausgabe.
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Von Händler/Antiquariat, hartung_gorre_verlag.
Diffusion of self-interstitials and vacancies in silicon plays an important role in thermal processes during integrated circuit manufacturing. The diffusion coefficients are key parameters for the understanding and for the simulation of these processes, but they are very hard to determine experimentally. This thesis describes the investigation of the diffusion of the self-interstitial and the vacancy in the neutral charge state by means of ab initio molecular dynamics simulations. The simulation data was analyzed in detail with newly developed methods specifically aimed at the investigation of point defect diffusion in crystalline solids. The diffusion coefficients were calculated at several temperatures, and the prefactors and migration energies were obtained from Arrhenius fits. The tracer correlation factor was calculated. Well defined and quantitative information on the defect configurations and the diffusion mechanisms was also extracted. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Hartung-Gorre, Hartung-Gorre, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2007-10-30, Studio: Hartung-Gorre.
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Diffusion of self-interstitials and vacancies in silicon plays an important role in thermal processes during integrated circuit manufacturing. The diffusion coefficients are key parameters for the understanding and for the simulation of these processes, but they are very hard to determine experimentally. This thesis describes the investigation of the diffusion of the self-interstitial and the vacancy in the neutral charge state by means of ab initio molecular dynamics simulations. The simulation data was analyzed in detail with newly developed methods specifically aimed at the investigation of point defect diffusion in crystalline solids. The diffusion coefficients were calculated at several temperatures, and the prefactors and migration energies were obtained from Arrhenius fits. The tracer correlation factor was calculated. Well defined and quantitative information on the defect configurations and the diffusion mechanisms was also extracted. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Aufl. Label: Hartung-Gorre, Hartung-Gorre, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2007-10-30, Studio: Hartung-Gorre.
Schlüsselwörter: Architektur, Technik & Ingenieurswesen, Belletristik, Biografien & Erinnerungen, Business, Karriere & Geld, Comics, Mangas & Graphic Novels, Computer & Internet, Eltern & Familie, Fantasy & Science Fiction, Freizeit, Haus & Garten, Geschichte, Gesundheit, Geist & Körper, Jugendbücher, Kalender, Kinderbücher, Kochen & Genießen, Krimis & Thriller, Kunst & Fotografie, Lernen & Nachschlagen, Liebesromane & -erzählungen, Medizin, Musiknoten, Outdoor, Umwelt & Natur, Recht, Reise & Abenteuer, Religion & Esoterik, Sachbücher, Schwul & Lesbisch, Sport & Fitness, Unterhaltung & Kultur, Wissenschaft, Fremdsprachige Bücher
Daten vom 08.05.2018 04:49h
ISBN (andere Schreibweisen): 3-86628-133-1, 978-3-86628-133-2
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Fundstellen insgesamt: 2
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ISBN: 9783866281332
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