Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
5 Angebote vergleichen
Bester Preis: € 28,86 (vom 20.06.2013)1
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
~DE NWISBN: 9783839603420 bzw. 3839603420, vermutlich in Deutsch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, 1 - 2, zzgl. Versandkosten.
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.
2
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) (2011)
DE USISBN: 9783839603420 bzw. 3839603420, in Deutsch, Fraunhofer Irb Stuttgart, gebraucht.
Lieferung aus: Vereinigte Staaten von Amerika, Usually ships in 1-2 business days.
Von Händler/Antiquariat, Agrios.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Von Händler/Antiquariat, Agrios.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
3
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) (2011)
DE NWISBN: 9783839603420 bzw. 3839603420, in Deutsch, 206 Seiten, Fraunhofer Irb Stuttgart, neu.
Lieferung aus: Frankreich, Expédition sous 1 à 2 jours ouvrés.
Von Händler/Antiquariat, the_book_depository__uk.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Von Händler/Antiquariat, the_book_depository__uk.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
4
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) (2011)
DE NWISBN: 9783839603420 bzw. 3839603420, in Deutsch, 206 Seiten, Fraunhofer Irb Stuttgart, neu.
Lieferung aus: Spanien, Normalmente se envía en el plazo de 1-2 días laborable.
Von Händler/Antiquariat, The_Book_Depository_ES.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Von Händler/Antiquariat, The_Book_Depository_ES.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
5
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) (2011)
DE NWISBN: 9783839603420 bzw. 3839603420, in Deutsch, 206 Seiten, Fraunhofer Irb Stuttgart, neu.
Lieferung aus: Italien, Generalmente spedito in 1-2 giorni lavorativi.
Von Händler/Antiquariat, The_Book_Depository_IT.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Von Händler/Antiquariat, The_Book_Depository_IT.
Die Beschreibung dieses Angebotes ist von geringer Qualität oder in einer Fremdsprache. Trotzdem anzeigen
Lade…