Elaboration couches TiN par dépôt chimique en phase gazeuse: Etude la croissance et caractérisation (French Edition)
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Elaboration couches TiN par dépôt chimique en phase gazeuse
DE PB NW
ISBN: 9783838181011 bzw. 3838181018, in Deutsch, Éditions Universitaires Européennes, Taschenbuch, neu.
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buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.232 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.232 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
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Elaboration couches TiN par dépôt chimique en phase gazeuse
DE US
ISBN: 9783838181011 bzw. 3838181018, in Deutsch, Éditions universitaires européennes, gebraucht.
Von Händler/Antiquariat, Librairie La Canopee. Inc. [1026553], Saint-Armand, QC, Canada.
Impression a la demande /Print on demand Neuf / As new 9783838181011 232 Croissance, caractérisation, CVD, caractérisation, Nitrure de Titane 11.06.2012 Ce travail porte sur l´élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800°C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500°C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L´étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.
Impression a la demande /Print on demand Neuf / As new 9783838181011 232 Croissance, caractérisation, CVD, caractérisation, Nitrure de Titane 11.06.2012 Ce travail porte sur l´élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800°C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500°C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L´étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.
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Elaboration Couches Tin Par Depot Chimique En Phase Gazeuse (2014)
DE PB NW
ISBN: 9783838181011 bzw. 3838181018, in Deutsch, ED UNIVERSITAIRES EUROPEENNES 01/10/2014, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Books2Anywhere [190245], Fairford, GLO, United Kingdom.
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Elaboration Couches Tin Par Depot Chimique En Phase Gazeuse (2012)
DE PB NW RP
ISBN: 9783838181011 bzw. 3838181018, in Deutsch, Editions Universitaires Europeennes, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Von Händler/Antiquariat, English-Book-Service - A Fine Choice [1048135], Waldshut-Tiengen, Germany.
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Elaboration Couches Tin Par Depot Chimique En Phase Gazeuse (2012)
DE PB NW RP
ISBN: 9783838181011 bzw. 3838181018, in Deutsch, Editions Universitaires Europeennes, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Von Händler/Antiquariat, English-Book-Service Mannheim [1048135], Mannheim, Germany.
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