Berhrungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien: Modellierung und quantitative Analyse der Mikrowellendetektierten Photoleitfhigkeit (German Edition)
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Beruhrungslose Defektanalytik Von Halbleitermaterialien
DE PB NWISBN: 9783838124407 bzw. 3838124405, in Deutsch, Sudwestdeutscher Verlag Fur Hochschulschriften AG, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, BuySomeBooks [52360437], Las Vegas, NV, U.S.A.
Paperback. 152 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.3in.Die hochempfindliche Methode der Microwave Detected Photoconductivity (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstrgerlebensdauer, Photoleitfhigkeit und Defektkonzentrationen ber viele Grenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems fr die Ladungstrgerdynamik in Halbleitern knnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhngigkeit der Anregungsintensitt bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird fr die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gngigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gngiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstrgerlebensdauer fhren. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN.
Paperback. 152 pages. Dimensions: 8.7in. x 5.9in. x 0.3in.Die hochempfindliche Methode der Microwave Detected Photoconductivity (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstrgerlebensdauer, Photoleitfhigkeit und Defektkonzentrationen ber viele Grenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems fr die Ladungstrgerdynamik in Halbleitern knnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhngigkeit der Anregungsintensitt bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird fr die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gngigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gngiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstrgerlebensdauer fhren. This item ships from multiple locations. Your book may arrive from Roseburg,OR, La Vergne,TN.
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Berührungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien
DE PB NWISBN: 9783838124407 bzw. 3838124405, in Deutsch, Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften, Taschenbuch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Die hochempfindliche Methode der "Microwave Detected Photoconductivity" (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungsträgerlebensdauer, Photoleitfähigkeit und Defektkonzentrationen über viele Größenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems für die Ladungsträgerdynamik in Halbleitern können wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhängigkeit der Anregungsintensität bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird für die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gängigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gängiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungsträgerlebensdauer führen.2011. 152 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
Die hochempfindliche Methode der "Microwave Detected Photoconductivity" (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungsträgerlebensdauer, Photoleitfähigkeit und Defektkonzentrationen über viele Größenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems für die Ladungsträgerdynamik in Halbleitern können wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhängigkeit der Anregungsintensität bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird für die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gängigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gängiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungsträgerlebensdauer führen.2011. 152 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
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Beruhrungslose Defektanalytik Von Halbleitermaterialien (Paperback) (2011)
DE PB NW RPISBN: 9783838124407 bzw. 3838124405, in Deutsch, Sudwestdeutscher Verlag Fur Hochschulschriften AG, United States, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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Von Händler/Antiquariat, The Book Depository EURO [60485773], Slough, United Kingdom.
Language: German,English Brand New Book ***** Print on Demand *****.Die hochempfindliche Methode der Microwave Detected Photoconductivity (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstr gerlebensdauer, Photoleitf higkeit und Defektkonzentrationen ber viele Gr enordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems f r die Ladungstr gerdynamik in Halbleitern k nnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abh ngigkeit der Anregungsintensit t bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird f r die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der g ngigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen g ngiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstr gerlebensdauer f hren.
Von Händler/Antiquariat, The Book Depository EURO [60485773], Slough, United Kingdom.
Language: German,English Brand New Book ***** Print on Demand *****.Die hochempfindliche Methode der Microwave Detected Photoconductivity (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstr gerlebensdauer, Photoleitf higkeit und Defektkonzentrationen ber viele Gr enordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems f r die Ladungstr gerdynamik in Halbleitern k nnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abh ngigkeit der Anregungsintensit t bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird f r die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der g ngigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen g ngiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstr gerlebensdauer f hren.
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Beruhrungslose Defektanalytik Von Halbleitermaterialien (2015)
DE PB NWISBN: 9783838124407 bzw. 3838124405, in Deutsch, S DWESTDEUTSCHER VERLAG F R HO 01/04/2015, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Books2Anywhere [190245], Fairford, United Kingdom.
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Beruhrungslose Defektanalytik Von Halbleitermaterialien (2014)
DE PB NWISBN: 9783838124407 bzw. 3838124405, in Deutsch, S DWESTDEUTSCHER VERLAG F R HO 01/07/2014, Taschenbuch, neu.
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