Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS: induites par des radiations ionisantes (rayons X)
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étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS: Dans ce livre est définie la méthodologie d`extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualit? de l`interface Si/SiO2 d`un transistor MOSFET tels que : les variations de la tension de seuil DeltaVth, de la tension de bandes plates DeltaVfb, de la densit? des états d`interface moyenne Delta Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Deltas s = sn.s p [cm2]. Les pièges lents dans l`oxyde, NT(x) au-del? de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L`étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2mim a ?t? menée ? l`aide d`un banc de mesures automatis? basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractom?tre ? rayons X du Laboratoire des Plasmas a ?t? utilisée. Un étalonnage de celle-ci a ?t? effectu? pour déterminer avec précision la dose et le débit de l`irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source. Französisch, Taschenbuch.

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Neuware - Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que : les variations de la tension de seuil DeltaVth, de la tension de bandes plates DeltaVfb, de la densité des états d'interface moyenne Delta Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Deltas ;s = sn.s p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2mim a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source. 160 pp. Französisch.

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