Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC NWISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, neu.
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC USISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, gebraucht.
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
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Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN USISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 148 Seiten, Springer, India, Private Ltd, gebraucht.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC USISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, gebraucht.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC NWISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, neu.
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