Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa
8 Angebote vergleichen
Preise | 2016 | 2017 | 2019 |
---|---|---|---|
Schnitt | € 58,77 | € 66,80 | € 65,85 |
Nachfrage |
1
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa (2016)
DE PB NW
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, Taschenbuch, neu.
Lieferung aus: Schweiz, Versandfertig innert 6 - 9 Tagen.
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der TSV-Form. Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Taschenbuch, 11.10.2016.
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der TSV-Form. Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Taschenbuch, 11.10.2016.
2
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa (2016)
~DE PB NW
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, vermutlich in Deutsch, Books on Demand, Taschenbuch, neu.
Lieferung aus: Schweiz, Versandfertig innert 4 - 7 Werktagen.
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der, Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Taschenbuch, 11.10.2016.
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der, Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Taschenbuch, 11.10.2016.
3
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa (2016)
DE PB NW
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Books on Demand, Taschenbuch, neu.
Lieferung aus: Österreich, zzgl. Versandkosten.
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. 11.10.2016, Taschenbuch.
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. 11.10.2016, Taschenbuch.
4
Symbolbild
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging. (2016)
DE PB NW RP
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Fraunhofer Verlag Okt 2016, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Von Händler/Antiquariat, AHA-BUCH GmbH [51283250], Einbeck, Germany.
This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. 154 pp. Deutsch.
Von Händler/Antiquariat, AHA-BUCH GmbH [51283250], Einbeck, Germany.
This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. 154 pp. Deutsch.
5
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging.
DE HC NW
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Books On Demand; Fraunhofer Verlag, gebundenes Buch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei innerhalb von Deutschland.
Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Lieferzeit 1-2 Werktage.
Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Lieferzeit 1-2 Werktage.
6
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkonta (2016)
~DE PB NW
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, vermutlich in Deutsch, Taschenbuch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Next Day, Versandkostenfrei.
Erscheinungsdatum: 10.10.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging., Autor: Wilke, Martin, Verlag: Fraunhofer Verlag, Sprache: Deutsch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 154, Informationen: Paperback, Gewicht: 237 gr, Verkäufer: averdo.
Erscheinungsdatum: 10.10.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging., Autor: Wilke, Martin, Verlag: Fraunhofer Verlag, Sprache: Deutsch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 154, Informationen: Paperback, Gewicht: 237 gr, Verkäufer: averdo.
7
Symbolbild
Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging (2016)
DE PB NW RP
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Von Händler/Antiquariat, English-Book-Service Mannheim [1048135], Mannheim, Germany.
This item is printed on demand for shipment within 3 working days.
Von Händler/Antiquariat, English-Book-Service Mannheim [1048135], Mannheim, Germany.
This item is printed on demand for shipment within 3 working days.
8
Plasmaatzen Zur Herstellung Von Siliziumdurchkontaktierungen Mit Kontrolliertem
DE NW
ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, neu.
Lieferung aus: Vereinigtes Königreich Großbritannien und Nordirland, Доставка тип: Free, Доставка: Vereinigte Staaten von Amerika, Пропонуємо розташування: GL15SQ United Kingdom, Безкоштовна доставка.
Von Händler/Antiquariat, shoppingmadeeasy2.
Фіксованою ціною.
Von Händler/Antiquariat, shoppingmadeeasy2.
Фіксованою ціною.
Lade…