Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa
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9783839610565 - Martin Wilke: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa
Martin Wilke

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa (2016)

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ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, Taschenbuch, neu.

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In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der TSV-Form. Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Taschenbuch, 11.10.2016.
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9783839610565 - Martin Wilke: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa
Martin Wilke

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa (2016)

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ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, vermutlich in Deutsch, Books on Demand, Taschenbuch, neu.

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In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der, Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Taschenbuch, 11.10.2016.
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9783839610565 - Martin Wilke: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa
Martin Wilke

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packa (2016)

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In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. 11.10.2016, Taschenbuch.
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9783839610565 - Martin Wilke: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging.
Symbolbild
Martin Wilke

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging. (2016)

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ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Fraunhofer Verlag Okt 2016, Taschenbuch, neu, Nachdruck.

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9783839610565 - Wilke, Martin: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging.
Wilke, Martin

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging.

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Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsfähigkeit und vielfältigerer Funktionalität. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abkürzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasmaätzen entwickelt. Hierzu werden die oberflächenphysikalischen Vorgänge bei der Ätzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzraten im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung während des Ätzverlaufes. Das Modell wird durch Ätzversuche verifiziert und ermöglicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abhängigkeit der Prozessparameter. Lieferzeit 1-2 Werktage.
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9783839610565 - Wilke, M: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkonta
Wilke, M

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkonta (2016)

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ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, vermutlich in Deutsch, Taschenbuch, neu.

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Erscheinungsdatum: 10.10.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging., Autor: Wilke, Martin, Verlag: Fraunhofer Verlag, Sprache: Deutsch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 154, Informationen: Paperback, Gewicht: 237 gr, Verkäufer: averdo.
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9783839610565 - Martin Wilke: Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging
Symbolbild
Martin Wilke

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging (2016)

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ISBN: 9783839610565 bzw. 3839610567, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, Taschenbuch, neu, Nachdruck.

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9783839610565 - Plasmaatzen Zur Herstellung Von Siliziumdurchkontaktierungen Mit Kontrolliertem

Plasmaatzen Zur Herstellung Von Siliziumdurchkontaktierungen Mit Kontrolliertem

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