Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich.
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Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich.
DE NW
ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. Matthias Ohlrogge, 20.5 x 14.4 x 1.5 cm, Buch.
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Symbolbild
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich. (2016)
DE NW
ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, in Deutsch, Fraunhofer Verlag Mai 2016, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Von Händler/Antiquariat, Rhein-Team Lörrach Ivano Narducci e.K. [57451429], Lörrach, Germany.
Neuware - Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. 201 pp. Deutsch.
Von Händler/Antiquariat, Rhein-Team Lörrach Ivano Narducci e.K. [57451429], Lörrach, Germany.
Neuware - Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. 201 pp. Deutsch.
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Symbolbild
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich. (2016)
DE NW
ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, in Deutsch, Fraunhofer Verlag Mai 2016, neu.
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Von Händler/Antiquariat, sparbuchladen [52968077], Göttingen, Germany.
Neuware - Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. 201 pp. Deutsch.
Von Händler/Antiquariat, sparbuchladen [52968077], Göttingen, Germany.
Neuware - Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. 201 pp. Deutsch.
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Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
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ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
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Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich: Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. sonst. Bücher.
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich: Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können. sonst. Bücher.
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ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen. Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen. Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können.
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Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
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ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, in Deutsch, neu, Hörbuch.
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Das Kernthema dieser Arbeit behandelt die Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Schaltungskomponenten im Millimeter- und Submillimeter-Frequenzbereich. Hierbei wird gezielt auf das verteilte Bauteilverhalten bei hohen Frequenzen und dessen Beschreibung über neuartige Modellansätze eingegangen.Eine wesentliche Errungenschaft dieser Arbeit ist die Entwicklung des so genannten Mehrtormodellansatzes zur Kleinsignalbeschreibung von verteilten Transistorstrukturen bei höchsten Frequenzen. Dieser Modellansatz zeigt deutliche Genauigkeitsverbesserungen im Bereich der Schaltungsvorhersage, verglichen mit den nach aktuellem Stand der Technik eingesetzten kompakten Schalenmodellansätzen. Des Weiteren ermöglicht er erstmals die simulationsunterstützte Analyse und Optimierung von planaren Transistorstrukturen.Im Bereich der Charakterisierung wird im Zuge dieser Arbeit ein neuartiges Kalibrationsverfahren vorgestellt, das Referenz-SOLR Verfahren. Dieses gestattet erstmals präzise die breitbandige On-Wafer S Parameter Charakterisierung von Bauteilen bis hin zu 500 GHz. Hierbei konnten die häufig auftretenden Probleme bezüglich der Ausbreitung von höheren Moden sowie des nicht stetigen Bandanschlusses essentiell verbessert werden. Dieser erweiterte Charakterisierungsbereich gibt im Rahmen dieser Arbeit erstmals die Chance Transistorgrenzfrequenzen im Submillimeter-Frequenzbereich direkt über Messungen verifizieren zu können.
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HEMT Strukturen im Millimeterbereich (2016)
~DE NW
ISBN: 9783839610022 bzw. 3839610028, vermutlich in Deutsch, neu.
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Erscheinungsdatum: 09.05.2016, Medium: Stück, Einband: Geheftet, Titel: Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich, Autor: Ohlrogge, Matthias, Redaktion: Ambacher, Oliver, Verlag: Fraunhofer Verlag, Sprache: Deutsch, Schlagworte: Elektrotechnik // Mikrowelle // Technik // TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // General // Elektronische Geräte und Materialien // Mikrowellentechnik, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 214, Gattung: Dissertation, Reihe: Science for Systems (Nr. 24), Gewicht: 314 gr, Verkäufer: averdo.
Erscheinungsdatum: 09.05.2016, Medium: Stück, Einband: Geheftet, Titel: Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich, Autor: Ohlrogge, Matthias, Redaktion: Ambacher, Oliver, Verlag: Fraunhofer Verlag, Sprache: Deutsch, Schlagworte: Elektrotechnik // Mikrowelle // Technik // TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // General // Elektronische Geräte und Materialien // Mikrowellentechnik, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 214, Gattung: Dissertation, Reihe: Science for Systems (Nr. 24), Gewicht: 314 gr, Verkäufer: averdo.
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Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
~DE HC NW
ISBN: 3839610028 bzw. 9783839610022, vermutlich in Deutsch, Fraunhofer Verlag, gebundenes Buch, neu.
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