InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom - J . 9783839607251
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InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom
DE NW
ISBN: 9783839607251 bzw. 3839607256, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
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Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg. Dissertationsschrift, Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 ?m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Größenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen.
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg. Dissertationsschrift, Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 ?m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Größenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen.
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InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom
DE NW
ISBN: 9783839607251 bzw. 3839607256, in Deutsch, neu.
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Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg. Dissertationsschrift, Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 ?m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Grössenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen.
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg. Dissertationsschrift, Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 ?m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Grössenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen.
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Symbolbild
InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom (2014)
DE PB NW
ISBN: 9783839607251 bzw. 3839607256, in Deutsch, Fraunhofer Verlag Sep 2014, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Rheinberg-Buch [53870650], Bergisch Gladbach, Germany.
Neuware - Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Größenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen. 143 pp. Deutsch.
Neuware - Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Größenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen. 143 pp. Deutsch.
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Symbolbild
InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom (2014)
DE PB NW
ISBN: 9783839607251 bzw. 3839607256, in Deutsch, Fraunhofer Verlag Sep 2014, Taschenbuch, neu.
Von Händler/Antiquariat, Buchhandlung - Bides GbR [52676528], Dresden, Germany.
Neuware - Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Größenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen. 143 pp. Deutsch.
Neuware - Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 m durch eine Reduktion des Dunkelstroms. Eine Reduktion des Dunkelstroms lässt sich mit geeigneten Heteroübergängen, die eine Kombination von unterschiedlichen Übergitterkompositionen mit unterschiedlichen Bandlücken- und Bandkantenenergien darstellen, erzielen. Zur Auslegung von Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen werden Berechnungen der Bandstruktur der Übergitter durchgeführt und die Modelle evaluiert und erweitert. Auf Basis der Bandstrukturberechnungen, sowie einer theoretischen Beschreibung der Detektoreigenschaften werden pN-Übergitterdioden mit unterschiedlichen Heteroübergängen ausgelegt und hergestellt. Die elektro-optische Charakterisierung der Detektoren zeigt, dass diese eine im Vergleich zu herkömmlichen Übergitterdetektoren um eine Größenordnung reduzierte Dunkelstromdichte aufweisen. 143 pp. Deutsch.
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InAs/GaSb-Infrarotdetektoren mit reduziertem Dunkelstrom ~ J . 9783839607251
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ISBN: 9783839607251 bzw. 3839607256, in Deutsch, neu.
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