Epitaxie von AlGaN-basierten Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich. (Science for systems)
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In dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet, wobei sowohl auf die Rekombination bzw. Injektion der Ladungsträger als auch auf die Lichtextraktion eingegangen wird. Neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt. Im Rahmen dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet. Die Reduzierung der Versetzungsdichte bei der heteroepitaktischen Abscheidung der AlGaN-Schichten in Verbindung mit einer effektiven Abschirmung der Ladungsträger von den verbleibenden Versetzungslinien führt zu einer maßgeblichen Steigerung der strahlenden Ladungsträgerrekombination im aktiven Bereich. Da die Löcherleitung in p-dotierten AlGaN-Schichten fundamentalen Grenzen unterliegt, ist für eine hinreichende Ladungsträgerinjektion eine Optimierung des Heterostrukturdesigns und insbesondere der Positionierung der p-Dotierung in Bezug auf den aktiven Bereich notwendig. Die Lichtextraktion lässt sich in "flip-chip" aufgebauten LEDs durch eine Anpassung des Abstandes des reflektiven p-seitigen Metallkontaktes zum aktiven Bereich signifikant erhöhen. All diese Aspekte werden umfassend dargestellt - neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird dabei der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt.

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In dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet, wobei sowohl auf die Rekombination bzw. Injektion der Ladungsträger als auch auf die Lichtextraktion eingegangen wird. Neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt. Im Rahmen dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet. Die Reduzierung der Versetzungsdichte bei der heteroepitaktischen Abscheidung der AlGaN-Schichten in Verbindung mit einer effektiven Abschirmung der Ladungsträger von den verbleibenden Versetzungslinien führt zu einer massgeblichen Steigerung der strahlenden Ladungsträgerrekombination im aktiven Bereich. Da die Löcherleitung in p-dotierten AlGaN-Schichten fundamentalen Grenzen unterliegt, ist für eine hinreichende Ladungsträgerinjektion eine Optimierung des Heterostrukturdesigns und insbesondere der Positionierung der p-Dotierung in Bezug auf den aktiven Bereich notwendig. Die Lichtextraktion lässt sich in "flip-chip" aufgebauten LEDs durch eine Anpassung des Abstandes des reflektiven p-seitigen Metallkontaktes zum aktiven Bereich signifikant erhöhen. All diese Aspekte werden umfassend dargestellt - neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird dabei der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt.

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In dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet, wobei sowohl auf die Rekombination bzw. Injektion der Ladungsträger als auch auf die Lichtextraktion eingegangen wird. Neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt. Im Rahmen dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet. Die Reduzierung der Versetzungsdichte bei der heteroepitaktischen Abscheidung der AlGaN-Schichten in Verbindung mit einer effektiven Abschirmung der Ladungsträger von den verbleibenden Versetzungslinien führt zu einer massgeblichen Steigerung der strahlenden Ladungsträgerrekombination im aktiven Bereich. Da die Löcherleitung in p-dotierten AlGaN-Schichten fundamentalen Grenzen unterliegt, ist für eine hinreichende Ladungsträgerinjektion eine Optimierung des Heterostrukturdesigns und insbesondere der Positionierung der p-Dotierung in Bezug auf den aktiven Bereich notwendig. Die Lichtextraktion lässt sich in "flip-chip" aufgebauten LEDs durch eine Anpassung des Abstandes des reflektiven p-seitigen Metallkontaktes zum aktiven Bereich signifikant erhöhen. All diese Aspekte werden umfassend dargestellt - neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird dabei der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt.

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