Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem
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Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem
DE NWISBN: 9783839604137 bzw. 3839604133, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
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Im Rahmen dieser Arbeit werden optische und elektrische Materialeigenschaften von BGaP und BGaAsP mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten basierend auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
Im Rahmen dieser Arbeit werden optische und elektrische Materialeigenschaften von BGaP und BGaAsP mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten basierend auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
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Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem
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Im Rahmen dieser Arbeit werden optische und elektrische Materialeigenschaften von BGaP und BGaAsP mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten basierend auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
Im Rahmen dieser Arbeit werden optische und elektrische Materialeigenschaften von BGaP und BGaAsP mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten basierend auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
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Im Rahmen dieser Arbeit werden optische und elektrische Materialeigenschaften von BGaP und BGaAsP mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten basierend auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
Im Rahmen dieser Arbeit werden optische und elektrische Materialeigenschaften von BGaP und BGaAsP mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten basierend auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschliessend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
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