Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen.
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Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen.
DE NWISBN: 9783839603192 bzw. 3839603196, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht. 21.0 x 14.8 cm, Buch.
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/ | Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen. | Fraunhofer IRB | 2011
DE NWISBN: 9783839603192 bzw. 3839603196, in Deutsch, Fraunhofer IRB, neu.
Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.
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Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen
~DE NWISBN: 9783839603192 bzw. 3839603196, vermutlich in Deutsch, neu.
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Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.
Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.
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Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen
~DE NWISBN: 9783839603192 bzw. 3839603196, vermutlich in Deutsch, neu.
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Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.
Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.
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