Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
3 Angebote vergleichen
| Preise | 2017 | 2019 | 2021 |
|---|---|---|---|
| Schnitt | € 27,97 | € 27,97 | € 27,97 |
| Nachfrage |
1
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
DE NWISBN: 9783736943513 bzw. 3736943512, in Deutsch, Cuvillier Verlag, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren: Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen. Ebook.
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren: Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen. Ebook.
2
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
DE PB NWISBN: 9783736943513 bzw. 3736943512, in Deutsch, Cuvillier Verlag, Taschenbuch, neu.
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren ab 27.97 € als pdf eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Belletristik, Erzählungen,.
3
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
~DE NW EB DLISBN: 3736943512 bzw. 9783736943513, vermutlich in Deutsch, Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren - eBook als pdf von - Cuvillier Verlag - 9783736943513, neu, E-Book, elektronischer Download.
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren ab 27.97 € als pdf eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Belletristik, Erzählungen,.
Lade…