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100%: Supriya Karmakar: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (ISBN: 9788132234906) 2016, in Englisch, Taschenbuch.Nur diese Ausgabe anzeigen…
100%: Supriya Karmakar: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (ISBN: 9788132216346) 2013, 2014. Ausgabe, in Englisch, Broschiert.Nur diese Ausgabe anzeigen…
83%: Supriya Karmakar, Supriya Karmakar: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (ISBN: 9788132216353) 2014. Ausgabe, in Englisch, auch als eBook.Nur diese Ausgabe anzeigen…
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
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| Preise | März 17 | Mai 17 | Dez. 17 |
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC NWISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, neu.
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Von Händler/Antiquariat, TOTAL BOOKS.
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
Von Händler/Antiquariat, TOTAL BOOKS.
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC USISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, gebraucht.
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Von Händler/Antiquariat, PBShop UK.
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
Von Händler/Antiquariat, PBShop UK.
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Hardcover, Ausgabe: 2014, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2013-11-21, Studio: Springer.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN NW EB DLISBN: 9788132216353 bzw. 8132216350, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, neu, E-Book, elektronischer Download.
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Kindle Edition, Ausgabe: 2014, Format: Kindle eBook, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: eBooks, Publiziert: 2013-11-20, Freigegeben: 2013-11-20, Studio: Springer.
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated., Kindle Edition, Ausgabe: 2014, Format: Kindle eBook, Label: Springer, Springer, Produktgruppe: eBooks, Publiziert: 2013-11-20, Freigegeben: 2013-11-20, Studio: Springer.
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eBook Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
EN US EBISBN: 9788132216353 bzw. 8132216350, in Englisch, Springer India, Springer India, Springer India, gebraucht, E-Book.
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (Qdgfet) and quantum dot gate Nmos inverter (Qdnmos inverter). It also introduces the development of a circuit model of Qdgfet based on Berkley Short Channe.
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (Qdgfet) and quantum dot gate Nmos inverter (Qdnmos inverter). It also introduces the development of a circuit model of Qdgfet based on Berkley Short Channe.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor als eBook Download von (2014)
DE NW EBISBN: 9788132216353 bzw. 8132216350, in Deutsch, Springer India, neu, E-Book.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2016)
EN PB US RPISBN: 9788132234906 bzw. 8132234901, in Englisch, 134 Seiten, Springer, Taschenbuch, gebraucht, Nachdruck.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
EN PB NWISBN: 9788132234906 bzw. 8132234901, in Englisch, Springer India, Taschenbuch, neu.
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Novel Three-State Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN USISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 148 Seiten, Springer, India, Private Ltd, gebraucht.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC USISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, gebraucht.
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications (2013)
EN HC NWISBN: 9788132216346 bzw. 8132216342, in Englisch, 134 Seiten, 2014. Ausgabe, Springer, gebundenes Buch, neu.
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